Matériau de substrat:

Oxyde d'aluminium, nitrure d'aluminium, oxyde de béryllium, diamant, verre de quartz, saphir, ferrite, céramiques à haute K, etc.

Disposition:

Carré ou rond de 1 à 6 pouces

Épaisseur:

0,1 à 2 mm

Métaux

Dépôt par pulvérisation: Ti, TiW, TaN, Au, NiCr, Cu, Ni, Cr, Pt

Placage: Cu, Ni, Au

Évaporation: AuSn, Pt

Conducteur

Largeur/Distance de ligne: recommandé >20μm, limite 10μm

Précision: standard ±5μm, limite ±3μm

Circuit intégré à films minces (TIC)

Convient pour la production de circuits passifs haute densité, compacts et performants en utilisant des processus de précision tels que la pulvérisation, la vaporisation et la photolithographie.

Les produits typiques comprennent des résistances de précision, des condensateurs à puce, des filtres, des diviseurs de tension, des ponts et des circuits micro-ruban en ferrite pour les communications haute fréquence par micro-ondes et optiques.

Ils sont largement utilisés dans des domaines tels que les micro-ondes haute fréquence, les communications optiques, l'électronique automobile et l'électronique médicale.