Substratmaterial:

Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, Diamant, Quarzglas, Saphir, Ferrit, Hoch-Keramik, etc.

Layout:

1~6 Zoll quadratisch oder rund

Dicke:

0,1~2mm

Metalle

Sputtern: Ti, TiW, TaN, Au, NiCr, Cu, Ni, Cr, Pt

Plattieren: Cu, Ni, Au

Verdampfen: AuSn, Pt

Leiter

Linienbreite/Abstand: empfohlen >20μm, Grenze 10μm

Genauigkeit: Standard ±5μm, Grenze ±3μm

Dünnschicht-Integrierter Schaltkreis (TIC)

Geeignet für die Herstellung von hochdichten, kompakten und leistungsstarken passiven Schaltkreisen unter Verwendung präziser Prozesse wie Sputtern, Dampfabscheidung und Fotolithographie.

Typische Produkte sind präzise Widerstände, Chip-Kondensatoren, Filter, Spannungsteiler, Brücken und Ferrit-Mikrostreifen-Schaltkreise für Hochfrequenz-Mikrowellen- und optische Kommunikation.

Sie werden weit verbreitet in Bereichen wie Hochfrequenz-Mikrowellen, optische Kommunikation, Automobil-Elektronik und Medizin-Elektronik eingesetzt.